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SK Hynix usará una nueva fotoresistente en la producción de 1c DRAM

2024-12-30

A medida que la miniaturización de la DRAM continúa avanzando, compañías como SK Hynix y Samsung Electronics se están centrando en el desarrollo y aplicación de nuevos materiales.
Según TheElec, SK Hynix planea utilizar el fotoresistente de óxido metálico (MOR) de próxima generación de Inpria en la producción de DRAM de sexta generación (proceso 1c, aproximadamente 10 nm),que es la primera vez que se aplica MOR al proceso de producción en masa de DRAM.

La DRAM 1c producida en masa por SK Hynix tiene cinco capas de ultravioleta extrema (EUV), una de las cuales se dibujará utilizando MOR, dijeron las fuentes."No sólo SK Hynix, sino también Samsung Electronics buscará tales materiales de relaciones públicas inorgánicas," añadió.

Inpria es una subsidiaria de la empresa química japonesa JSR y líder en el campo de la fotoresistencia inorgánica.MOR se considera la próxima generación de fotoresistente amplificado químicamente (CAR) actualmente utilizado en la litografía avanzada de chips.

Además, la compañía ha estado trabajando con SK Hynix en la investigación de MOR desde 2022.SK Hynix ha dicho previamente que el uso de fotoresistente de óxido de Sn (base) ayudará a mejorar el rendimiento de la próxima generación de DRAM y reducir los costos.

El informe de TheElec también señaló que Samsung Electronics también está considerando aplicar MOR a 1c DRAM y actualmente Samsung Electronics aplica de seis a siete capas EUV en 1c DRAM,mientras que Micron sólo aplica una capa.

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